崗位職責:
1. 根據市場需求和技術趨勢,結合公司發(fā)展戰(zhàn)略,規(guī)劃公司功率芯片(IGBT/SiC MOSFET)
戰(zhàn)略發(fā)展路標,統(tǒng)籌公司功率芯片研發(fā)工作開展,制定芯片研發(fā)計劃及目標,對功率芯片
(IGBT/SiC MOSFET)競爭力及商業(yè)成功負責;
2. 負責芯片設計研發(fā)團隊搭建,主導公司芯片設計流程和體系建立,對功率芯片(IGBT/SiC
MOSFET)產業(yè)化負責;
3. 牽頭公司芯片研發(fā)關鍵項目開展,主導芯片重大問題攻關,解決芯片設計與開發(fā)過程中
的關鍵設計與工藝問題,保障項目順利進行,確保芯片市場競爭力;
4. 負責功率芯片關鍵設計能力建設,提升公司芯片設計綜合能力,縮短功率芯片開發(fā)周期,
減少芯片總體設計與驗證成本,保障芯片性能與可靠性;
職位要求:
1. 微電子、半導體物理、集成電路等芯片設計相關專業(yè)碩士及以上學歷;
2. 熟悉功率芯片設計及開發(fā)流程,能獨立完成 IGBT/SiC MOSFET 芯片設計與開發(fā),5 年以上國際功率芯片設計廠相關工作經驗;
3. 了解功率芯片市場應用需求,掌握功率芯片產業(yè)鏈資源著優(yōu)先;2 年及以上芯片設計團隊管理經驗者優(yōu)先;